Игорь Осинных
![](https://sun1-98.userapi.com/s/v1/ig2/2cpapl1wdggPdAPPTumdg4tKro3ip1IzUzJ-kYm4diuK1p6VwnmXO3U0ek9nZw4BHRsAYlGgACbMDMKGPvDV56F_.jpg?quality=95&crop=0,227,1920,1920&as=32x32,48x48,72x72,108x108,160x160,240x240,360x360,480x480,540x540,640x640,720x720,1080x1080,1280x1280,1440x1440&ava=1&cs=480x480)
Город:
Новосибирск, Россия
Дата рождения:
26.05.1989
Пол:
мужской
Посещение:
сегодня в 17:42
Университет:
НГУ, 2012, Очное отделение, Выпускник (магистр)
Факультет: Физический
Кафедра: Физики полупроводников
НГУ, 2010, Очное отделение, Выпускник (бакалавр)
Факультет: Физический факультет
Кафедра: Кафедра физики полупроводников
НГУ, 2015, Очное отделение, Аспирант
Факультет: Физический факультет
Кафедра: Кафедра физики полупроводников
Факультет: Физический
Кафедра: Физики полупроводников
НГУ, 2010, Очное отделение, Выпускник (бакалавр)
Факультет: Физический факультет
Кафедра: Кафедра физики полупроводников
НГУ, 2015, Очное отделение, Аспирант
Факультет: Физический факультет
Кафедра: Кафедра физики полупроводников
Образование:
Школа: Физико-математическая школа имени М. А. Лаврентьева (СУНЦ НГУ), 2004 - 2006
Школа: Вторая Новосибирская гимназия, 2002 - 2004
Школа: Вторая Новосибирская гимназия, 2002 - 2004
Деятельность:
Институт физики полупроводников (ИФП СО РАН)
Место работы:
с 2008 г.
М.н.с
М.н.с
Языки:
Русский
Фотографии 200
Друзья 1011
+